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电设图7. BN基忆阻器的基本特性(a,b)Ti/thinh-BN/Cu器件的结构图示及忆阻器的经典I-V曲线。【成果简介】近期，施电河北大学闫小兵教授和深圳大学张晗教授（共同通讯作者）等人基于二维材料忆阻器的快速发展，施电总结了二维材料在忆阻器中的应用及其物理开关机制，并对其存在的挑战和发展前景进行了讨论。

先后获得霍英东青年教师奖、价调河北省青年科技奖。河北(f)不同TE材料忆阻器的I-V曲线。